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一、考研择校分析
三、本套真题考察知识点(包括但不限于):
判断 1‑3:基础。考电流参考方向、LTI 卷积适用条件、串联谐振特性阻抗。分清参考方向只改正负;卷积仅限 LTI;辨析谐振参数定义。
二小题 1‑5:基础‑中等。正弦相位、冲激卷积积分、离散冲激移位、离散时不变判定、希尔伯特变换频域运算。用时不变定义校验;牢记希尔伯特变换频域特性。
第三题:中等。信号综合时移 + 尺度变换\(f(2t+4)\),抓关键点坐标,注意变换顺序。
第四题:中等。直流电路 KCL/KVL,电源功率及吸收 / 发出判断。留意关联参考方向,功率正负勿混淆。
第五题:中等。换路定则、0₋转 0₊。电感电流、电容电压不突变,其余量允许跳变。
第六题:基础‑中等。单边拉普拉斯、正弦变换、时移性质。时移性质依附阶跃,不可直接替换变量。
第七题:基础。因果正弦序列 Z 变换,欧拉公式拆分求解。
第八题:中等偏难。相量法、有功功率、并联谐振。功率仅电阻消耗;谐振阻抗纯阻性,区分感抗容抗符号。
第九题:中等偏难。零极点构造\(H(z)\)、z 域终值定理、离散零输入响应。终值定理有极点约束;零输入只用齐次解。
第十题:中等。微分方程求\(H(s)\)、零极点绘图、零极点判滤波特性。注意分子微分带来零点。
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